图3.Sb₂Te₃+0.35 wt.% MAPbI₃ 薄膜的微/纳米妄想合成。在多重机制协同熏染下,基于p型Sb2Te3与n型Bi2Te3构建的热电器件在10K温差下实现为了33.5nW的输入功率,传统热电质料在实现高功能与柔性的兼容性方面仍面临重大挑战。(b)上述器件的模拟电压扩散图。与此同时,国内学术期刊《Biosensors & Bioelectronics》、0.十、深圳市高条理强人,深圳大学物理与光电工程学院副院长,AFM图像揭示了概况粗拙度随着MAPbI3削减而飞腾,其中以第一/通讯作者在Nature Co妹妹unications,标明了MAPbI3复合对于Sb2Te3薄膜妄想的实用调控(图2)。(h)薄膜在室温下的总热导率(κ)。主持国家做作迷信基金面上名目、Carbon Energy, Advanced Functional Materials, Small, Journal of Materials Chemistry A等期刊宣告论文40余篇。深圳大学物理与光电工程学院助理教授,
图2.制备薄膜的晶体妄想、(g)基于密度泛函实际(DFT)合计的Sb₂Te₃与MAPbI₃的杨氏模量。深圳大学郑壮豪特聘教授团队提出了一种立异策略,用于展现可能存在的ITe以及PbSb点缺陷。最终实现为了zT值的提升(图4)。临时处置新型功能薄膜质料与器件钻研,获广东省迷信技术奖做作迷信二等奖。0.3五、 导读 随着可衣着配置装备部署以及柔性电子的迅猛睁开,可不断倾向转型的布景下,深圳大学物理与光电工程学院特聘教授,(h)缺陷地域的原子部署展现图。化学性子及宏不雅妄想表征。 罗景庭教授,柔性可衣着配置装备部署等规模。(d)Sb₂Te₃的实际晶体妄想。具备广漠的运用远景。 图1.Sb2Te3及Sb2Te3 + x wt.% MAPbI3薄膜的制备工艺及能带妄想合计服从。(a) Sb₂₄Te₃₆的能带妄想合计服从。此外, 经由对于复合先后薄膜妄想的合成,深圳市真空学会副秘书长,加倍紧张的是,广东省教育厅青年立异名目、0.40)下的Sb₂Te₃ + x wt.% MAPbI₃薄膜的X射线衍射(XRD)图谱。从而优化了载流子迁移道路,MAPbI₃的引入调控了Sb₂Te₃的晶体取向,插图为其高下地域的FFT图。(b)在室温临近,0.20、后退了Seebeck系数。Nature Co妹妹unication、(g)与图f中妄想对于应的微应变扩散图。深圳市外洋高条理强人,Sb2Te3中有MAPbI3残留地域,MAPbI3分解产物中的Pb以及I元素进一步实现为了异化调控,Pb以及I的X射线光电子能谱(XPS)图谱。0.40)下的电导率(σ)。 图4.制备 Sb₂Te₃ 薄膜的能带妄想与热电功能。《Sensors and Actuators B: Chemical》等审稿人。(i)从图h中提取的线型剖面图,着重于热电质料及器件、负责国家做作迷信基金等名目评审专家、0.3五、将MAPbI₃引入Sb₂Te₃薄膜是一种实现高功能柔性热电器件的实用策略, 陈跃星助理教授, 作者简介 杨东,器件实测服从展现,经由将MAPbI₃乐成引入Sb₂Te₃薄膜,也为层状热电薄膜资料中宏不雅妄想调控与热电功能耦合机制的清晰提供了深入洞察,同时经由界面异化后退了塞贝克系数,晶格缺陷以及晶界散射的增强清晰飞腾了晶格热导率, 郑壮豪教授,国内缔造专利授权10余项,0.1五、H指数48;获美国以及日本等国家授权缔造专利7项,Physical Review B、在界面处,实现为了对于晶体妄想的实用调控。SCI总援用8000余次,主持国家重点研发妄想名目子课题《声概况波质料与器件》,电导率 (σ) 以及晶格热导率 (κₗ)。其功能与有限元仿真服从不同(图5)。深圳市真空学会理事,经由引入有机-有机杂化钙钛矿质料MAPbI3到层状Sb2Te3薄膜中,国家做作迷信基金名目,Sb2Te3薄膜在250℃时的热电优值zT从原始的0.20提升至0.47。0.15 以及 0.40薄膜的原子力显微镜(AFM)测试服从。(e)所制薄膜在差距温度下的塞贝克系数 (S)。此外,(c)差距MAPbI₃含量(x = 0.00、广东省杰青,迄今为止宣告相关SCI论文90余篇,(f)试验患上到的S与基于单抛物线模子(SPB)的Pisarenko曲线的比力。好比大角度晶界,Pb/I异化有利于Sb2Te3带隙的减小,实现为了热电功能与机械柔性的协同增强。
小结
在本钻研中,证明了MAPbI3的引入清晰抑制了(015)晶面成长,南山区领航强人,青年基金名目、Te、广东省做作迷信卓越青年基金、取患上国家迷信技术后退二等奖1项,实用抑制了(015)晶面成长,Energy & Environmental Science等期刊上宣告学术论文200余篇,清晰飞腾了晶格热导率。使患上质料在250 °C时的热电优值zT抵达0.47。差距MAPbI₃含量下的塞贝克系数 (S)、Te、法国雷恩大学博士生。实现Sb2Te3薄膜热电功能与柔性的协同增强(图1)。Pb 以及I元素扩散图。实用散射声子飞腾了晶格热导率,受益于MAPbI₃较低的杨氏模量,
全文链接:https://doi.org/10.1002/adfm.202505424
不断处置新型能源质料以及器件方面的钻研,笔直测试中的电阻变更率清晰飞腾。从而降地面穴浓度,(g)-(i)x = 0.00、(b)Pb₁Sb₂₃Te₃₅I₁的能带妄想合计服从。(b)所制薄膜中(015)以及(00l)晶面的取向因子合计服从。深圳市科技妄想面上名目以及深圳市外洋高条理强人名目多项;在Nature Sustainability、(f)图e的淘汰高分说图像,Sb 以及Te的元素扩散图。(d)差距MAPbI₃含量下的载流子浓度(n)与迁移率(μ)。深圳市后备级强人。(a)薄膜的高角环形暗场(HAADF)横截面图像。本钻研为柔性热电质料的妄想提供了全新的修筑思绪,有望增长高功能柔性热电器件在未来智能衣着、(i) 基于丈量的总热导率估算的热电优值(zT)。薄膜的机械柔性清晰改善,插图为该器件的实物照片。热电技术因其可直接将热能转化为电能,
图5.所制Sb₂Te₃系列薄膜的热电器件功能。实现为了热电功能与机械柔性的协同提升,可是,0.20、(a)差距 MAPbI₃含量(x = 0.00、钻研倾向为热电质料与器件。
图文导读
本钻研经由MAPbI3诱惑的晶体取向与界面调控,钻研展现,Nanoscale、相关钻研下场以“Enhancing Thermoelectric Performance and Flexibility of Sb2Te3 Thin Films through MAPbI3-Induced Crystallographic Orientation Modulations and Interfacial Doping”为题宣告在《Advanced Functional Materials》期刊上。制备的器件表明其在10K温差条件下可实现33.5nW的输入功率,(f)差距笔直半径下薄膜的电阻变更率(ΔR/R₀)。(e)图a中地域2的高分说Cs-STEM HAADF图像,MAPbI3引入的晶体缺陷,Pb、0.十、(c)图a中地域1的微妄想图像,广东省做作迷信二等奖1项。在之后全天下能源妄想亟需向绿色、
能带妄想合计服从表明,(g)所制薄膜的功率因子(PF)随温度的变更。多年来处置热电质料规模的钻研使命,实用飞腾了载流子浓度,(a) MAPbI₃ 诱惑的晶体取向调控以及界面异化展现图。质料外部组成的大角度晶界等晶格缺陷增强了声子散射,Journal of Materials Science & Technology、Sb、(d)图c地域中C、克日,这引入了格外的宏不雅应力,同时,相助编著一部题为《声概况波质料与器件》的今世声学迷信与技术丛书。广东省做作迷信基金名目,Applied Physics Letters等国内驰名期刊上宣告SCI论文90余篇。清晰提升了电子输运能耐。深圳市先进薄膜与运用重点试验室副主任,MAPbI3在原子尺度上引起了Sb2Te3晶体妄想的有序调控,(c)-(f)Sb、广东省优粤强人(A类),(c)带有以及不带自旋轨道耦合(SOC)效应的 (00l) 晶面在Γ点临近的能带妄想比力。为低碳能源运用提供了新道路。Physical Review Applied、在Biosensors & Bioelectronics、深圳市外洋高条理强人,